型號 ：ZCL-700

一、真（zhēn）空室：

1. 形式：雙腔室結（jié）構，中（zhōng）間配置閘板閥。

 A、濺射室：700（寬（kuān））x700(深)x600mm(高)，後開門。配置3個 CF35法蘭，軸心指向工作台，用於觀測，觀測（cè）路徑上不得有阻擋;另設置φ100mm觀測（cè）窗一（yī）個。

B、進（jìn）料（liào）室（shì）：500（寬）x500(深（shēn）)x600mm(高)，前開門。配（pèi）置射頻離子源（清洗）和（hé）傳送機構，支持Φ250mm×20mm（高（gāo）），重量≥2kg樣品的送入。

C、閘板閥：500x400mm.送料機構傳送。

2. 室體材料304不鏽耐酸鋼，內壁不鏽鋼拋光，外壁噴丸處理。

3. 含2套腔體防汙板 （304材料）。

4. 樣片在上，磁（cí）控靶在上

5. 冷卻管道采用（yòng）304不鏽鋼管。

6. 主機與電控櫃連接之電纜，應（yīng）裝（zhuāng）入線槽（cáo），且從上方通過。

7. 所有供水管均采用塑料高壓氣管，進、出水塑料高壓氣管采用兩種不同顏色顯示。

8. 控（kòng）電櫃采用縱櫃形式。

二、真空係統：

1．進料室：A.極限真空 ≤1.0x10-3pa，恢複真空： 大（dà）氣（qì）→9×10-1Pa ≤30min。

B.真空泵配置（zhì）：250分子泵 + GSD120B幹泵一台

C.送樣係統 采用load-lock室（shì）送樣係（xì）統，支持Φ250mm×20mm（高），重量≥2kg樣品的送入。

2．濺射室：A.極限真空 ≤5.0x10-5pa，恢複真（zhēn）空（kōng）： 大氣→1.0×10-4Pa ≤40min

B.升壓率：≤5.0pa@12hours

C.真空泵配置：GSD120B幹泵一台（低噪音）+ 400分子泵一台

D.濺射真空室抽（chōu）氣速率45min內真空度≤1×10-4Pa 

E.濺射真空（kōng）室升壓率 ≤5.0Pa@12hours

3. 真空係統測量：自動真空壓強控製儀；觀察窗口徑≥Φ80mm

4. 真空係統操作：自動（dòng）/手動（dòng）(PLC控製)

三、加熱控溫係統：

  1.管狀加熱器（qì）加熱（rè）紅外輻射（shè）加熱，功率6Kw。

2.加熱控製溫（wēn）度範圍：室溫~300℃，分辨率0.1℃，控溫精度：≤±2℃。

3.數字PID自動控溫（wēn）係統，溫度可控可調（測量位置：被鍍基片附近）；非接觸（chù）工件直接測溫，熱電偶控溫。

四、工作台（基片台）

1.正置工作台（tái）1個，共聚焦濺射。工作台旋轉，3-30rpm無級變速，速度連續可調。

工作（zuò）模式

全自動濺射：調取預存設置參數，濺射全程無需幹預，支持999層膜層參數設置。

半自動濺射：可單獨設置（zhì）全部（bù）控（kòng）製參數，並執行濺射（shè）程序，中途可以中斷並修改參數並重新濺射。

手動濺射：點動控製各硬件模塊（kuài），進行濺射。

2.工件旋轉：自轉，轉速（sù）5~30rpm；可放置φ250mm樣品一件。

3.濺射膜厚（hòu）均勻區：不均勻性小於±5%@1μm，區域直徑≥200mm。

4. 濺射膜厚重複性：≥95%

5.加熱（rè）控溫係統采用電阻（zǔ）絲加熱；紅（hóng）外輻射加（jiā）熱，非接（jiē）觸工（gōng）件直接測溫，熱電偶控溫；加熱（rè）控製溫度（dù）範（fàn）圍（wéi）：室溫~300℃，分（fèn）辨率0.1℃，控溫精度：≤±2℃。

6.工作（zuò）台高度可調，以滿足靶基距（jù）離調整要求。

五、磁控濺射靶及電源（yuán）（直徑6英吋磁控靶，濺射（shè）靶數量3個，角度可調）：

.直流濺射電源（3件（jiàn））：3KW（恒流控製）；射頻（pín）電源2件（jiàn），1.5Kw。

2.濺射方式：由上往下濺（jiàn）射；靶基間距80-300mm可調，調節量可控，分辨率≤±1mm。

3.濺射材料：A.金屬：Au、Pt、Ti、Cr、Ni、W、Fe、Cu、Ag、Al、NiCr、NiSi

B.非金屬：AlN、SiO2、Al2O3

4.每（měi）件靶上麵有氣動擋板，擋板可旋轉。

5.濺射模式（shì） 直流濺射（shè）/射頻濺射

6.功率 直流濺（jiàn）射功率≥1000W；射頻濺射功（gōng）率＞600W。

7.有效區域 ≥Φ250mm

8.濺射膜厚均勻性 不均勻性小於±5%@1μm 區域直徑≥200mm。

9.濺射膜厚重複性 ≥95%

10.靶電極和冷卻水管須套（tào）在不鏽鋼管內；

11.磁控濺射靶的冷卻水做到隻要鍍膜開機（jī）抽（chōu）真空，其冷（lěng）卻水就暢（chàng）通（tōng）；

12.直流、射頻磁控電源能（néng）方便切換到需要工作的磁控濺射（shè）靶上，預濺射

正式濺射的時間能直觀地顯示在（zài）觸摸屏上。

六、壓力控製係統：

.自動壓強控製儀：控（kòng）製範圍5×10-2Pa（0.1Pa）～10 Pa可調，穩定控製精度±0.1Pa

2.氣路控製（zhì）3路工（gōng）藝氣體進（jìn）氣，1路N2，1路Ar，1路（lù）O2，質量（liàng）流量計控製氣體流量。

3.充氣係統：配3隻日本山武質量流量計。

4.氣路：全金屬管路，采用內壁拋光（guāng）不鏽鋼管（guǎn）。

七、清（qīng）洗係統：

Load-lock室配置IBD-RISE-12-HO射頻（pín）離子源，可對樣品進行射頻清洗。

八、計算機全自動控製係（xì）統：

1.控製方式：17”一體式（shì）工控（kòng）機電腦 + 工業控製PLC模（mó）塊。

2.性能：

1）可靠性：..的故障反饋及誤（wù）操作互鎖保護功能，具備各係統的自診斷功能：設備一旦出現故障，自動存儲故（gù）障記錄，發出聲光報警，等待操（cāo）作人員檢查處（chù）理；                             

2）自動化：可以實現從排氣到濺射完成的一鍵控製（zhì），控製較為（wéi）靈活。

3）用戶可自行編寫濺射程序，並由此濺射機自動實施。

3.濺射數（shù）據管理：

1）參數包括但不限（xiàn）以下：膜（mó）層的濺射氣壓、功率（電壓、電流）、時（shí）間、溫（wēn）度、基片台轉速等

2）真空度數據保（bǎo）存及曲線（xiàn）顯示；

4.工作模式：

1）全自動濺射（shè）：調取預存設（shè）置參數，濺射全程無需幹預，支持999層膜層參數設置（zhì）。

2）半自動濺射：可單獨設置全部控製參（cān）數（shù），並執（zhí）行（háng）濺射程序，中途可以中斷並修改參數並重新（xīn）濺射（shè）。

3）手動濺射：點動控製各（gè）硬件模塊，進行濺射。

每層膜層的濺射氣壓曲線、功率（電壓、電流（liú））曲線、時間、溫度（dù）曲線、基片台轉速等參數（shù）並以（yǐ）數據表和圖片的（de）形式導出，且界麵美觀。

4.濺射過程自動化，自動控製的主要內（nèi）容：

1）具（jù）備..的故障反饋及誤操作互鎖保護功能以及各（gè）係統自（zì）診斷功能（néng）；

2）真空係統（tǒng）抽、排氣可編程設（shè）置，由工控電腦自動控製完成；

3）工件盤轉動的高，低速旋（xuán）轉可編程設置；

4）氣體管路閥門及進氣（qì）量可編程設置；由工控電腦自動控製壓控儀（yí）完成；

5）各個泵（bèng）閥的控製由PLC來自動完成；

6）膜厚（hòu）控製采用時間功率方式進行，可顯示濺射（shè）時間（jiān）及功率；

5.控製特點：

1）人（rén）機界麵為（wéi）中文觸（chù）摸形式，可由觸摸屏或鍵盤和鼠標進行對話；

2）參數設置功（gōng）能：時間（jiān）、功率及相關參數；

3）可通過編程（chéng）進行參數設置，也可在電（diàn）腦屏（píng）幕上（shàng）直接（jiē）輸入；

4）具有（yǒu）..的數據信息自動存儲功能，記錄（lù）文件可方便的輸出；

5）記錄（lù）文件格式可（kě）轉換為Excell格式

6）整個工作過程自動（dòng）儲存。

7）保（bǎo）護功能具備自鎖、互鎖（suǒ）安全保護措施

九、安裝要求：

1.環境溫度：10～35℃;

2.相對濕度：不大於80%；

3.設備周圍環境（jìng）整潔，空氣（qì）清潔，不應有可引（yǐn）起電器及其他金屬表麵腐蝕或引（yǐn）起（qǐ）金（jīn）屬間導電的塵埃或氣（qì）體存在。

十一、設備動力要求：

1.水源: 自來水循（xún）環，水壓0.2～0.3Mpa，水量～60L/min，進水溫度≤20℃～25℃；

2.氣源（yuán）：氣（qì）壓0.6Mpa；

3.電源：三相五線製220V/380V，50Hz，電（diàn）壓波動範圍：三相342～399V，單相198～231V；頻率波（bō）動範圍：49～51Hz；設備功率：～20KW；接地（dì）電阻4Ω；

十一、設備總尺寸：＜2.5m(長) x 1.5m(寬) x 2.0（高）