一、主要用（yòng）途:

本設備是乙方專門針對各（gè）大（dà）專院（yuàn）校及科研單位對光刻機的使用特性研發的一種精密光刻機，它主要用（yòng）於中小（xiǎo）規模集（jí）成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表麵波器件的研製和生產。

二（èr）、 主（zhǔ）要性能指標

1、曝光類型：單麵；

2、曝光（guāng）麵積（有效麵積）：φ310mm；

3、曝光照度均勻性（xìng）：≥ 96%；

4、曝光強度：0～30mw/cm²可（kě）調；

5、紫外光束角：≤3˚；

6、紫外（wài）光中心波長：365nm；

7、紫外（wài）光源壽命：2年；

8、曝（pù）光分辨率：2μm；

9、曝光模式：可選擇一次（cì）曝光或套刻（kè）曝光；

10、顯微鏡移動範圍：X：±50mm   Y：±100mm；

11、對準範圍：X、Y±3mm；Q±3°；

12、套刻精度（dù）：2μm；

13、分離量；0～50μm可調；

14、接觸－分離漂移：≤2μm；

15、曝（pù）光方式：密著曝光，可實現硬接觸、軟接（jiē）觸和微力接觸曝光；

16、找平方式：三點式自動找平； 8英寸wafer；

17、顯微（wēi）係統（tǒng）：雙視場CCD係統，顯微鏡91X～570X連（lián）續變倍（物鏡1.6X～10X連（lián）續變倍），雙物鏡距離可調範（fàn）圍50mm～120mm，計算機圖像處理係（xì）統，19″液晶監視器；計算機圖像處理係統（tǒng），19″以上（shàng）液晶監視器；CCD用HMDI端口；

18、掩膜板尺寸： 355.6mm×355.6mm（12英寸wafer對應版）；228.6mm×228.6mm（8英寸wafer對應版）；

19、基片尺寸：φ304.8mm；

20、基片厚（hòu）度：12英寸厚度（dù）775±20um；8英寸厚度725±20um；

21、曝光定時（shí）：0～999.9秒可調（diào）；

22、對準精度：±1μm；

23、曝光頭移動：電動；

24、電源：單相AC220V  50HZ ，功（gōng）耗≤3KW；

25、潔淨空氣（qì）壓力：≥0.4MPa；

26、真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；

27、G-26D12型光刻機的組成：

由主機（含機體和（hé）工作台），對準用單筒顯微鏡，高均（jun1）勻性曝光頭組成。

28、附件如下：

a.主機附件：

1)掩膜版（bǎn）板架（jià），按上（shàng）麵第18提供。

2)真（zhēn）空夾（jiá）持（chí）承片台，按以上提供。

b．顯微鏡組（zǔ）成

1)高（gāo）分辨率單筒顯微鏡二個。

2)二個CCD。

3)視頻（pín）連接線。

4)計算機和19"液晶監視器。