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成都G-25D6型高精密單麵光刻機

一、主要用途:本(běn)設備是(shì)我(wǒ)公司(sī)專(zhuān)門針對各大專院校及科研單位對光刻機的使用特性研發的一種精密光刻機(jī),它 主要用於中小規模(mó)集成電路…

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G-25D6型高精密單麵光刻機



一、主(zhǔ)要用途:

本設備是我公司專門針對各大專院校及科研單位對光刻機的使用特性(xìng)研發的一種精密光刻機,它主(zhǔ)要用於中小規模集成電路(lù)、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表麵波器件的研製和生產。

LED曝光頭及部件圖



三點找平機構高精(jīng)度(dù)XYZQ 調節機構



二、主要技術指標:

1、曝光(guāng)類型:單麵;

2、曝光麵積:150×150mm;

3、曝光照度不(bú)均(jun1)勻性: 150×150mm範圍內≤±3%;

不均勻性用(yòng)紫外檢測(cè)計測量(UV-A型紫外輻照計(jì))


測量5點(如圖)

4、曝光強度:≤30mw/cm2可(kě)調(diào);

5、紫外光(guāng)束角:≤3˚;

6、紫(zǐ)外光中心(xīn)波(bō)長:365nm;

7、紫外光源壽命:≥2萬(wàn)小時;

8、采用電子快門;

9、曝光分辨率:2μm;

10、曝光模式:可選擇一次曝光或(huò)套刻曝光;

11、對準範圍:X、Y 調節 ±5mm;Q向調節±3°;

12、套刻精(jīng)度:2μm;

13、分離量;0~50μm可調;

14、曝光方(fāng)式:密著(zhe)曝光,可實現硬接觸、軟接觸和微(wēi)力(lì)接觸曝(pù)光;

15、找平方式:氣浮找(zhǎo)平;

16、顯微係統:雙視場CCD係統,顯微鏡91X~570X連續變倍(bèi)(物鏡(jìng)1.6X~10X連續(xù)變倍),雙物鏡距離可調範圍50mm~120mm,計算機圖像處理係統,19″液晶監視(shì)器;

17、掩模版尺寸: 7″×7″英寸;

18、基片尺寸:Φ6″一件;

19、基片(piàn)厚度:≤5 mm;

因(yīn)基片的厚度(dù)不同,製作(zuò)承(chéng)片台時需要進行分級(jí)處理,單獨設計製作,1mm為一個等級(基(jī)片厚度:0-5mm可分為五個等級:0-1mm,1-2mm,2-3mm,3-4mm,4-5mm)其中:我公司隨機配送厚度為0-1mm等級的承片台,若用(yòng)戶(hù)還(hái)需其餘等級承片台(訂貨時用戶須說明,費用另議(yì))。

20、曝光定時:0~999.9秒可調;

21、電(diàn)源:單(dān)相AC220V  50HZ ,功耗≤1.5KW;

22、潔淨空氣壓力:≥0.4MPa;

23、真空度:-0.07MPa~-0.09MPa;

24.設備(bèi)所需能源:

主機電源: 220V±10%   50HZ,1.5KW。

潔淨空氣≥0.4MPα。

真空:-0.07~-0.08MPα。

25.G-26D型高精密光刻機的(de)組成:

由LED紫外曝光頭(tóu)、CCD顯微(wēi)顯示(shì)係統、對準工作台、電氣控製係統構成。


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