G-26型高精密光刻機

產品介紹：

設備概述:

本設備廣泛應（yīng）用於（yú）進行批量生（shēng）產的各大、中、小型企業（yè），它主要用於中小規模集成電路、半導體元器件、聲表麵（miàn）波器件的研製和生產,由於本機找平機構**，找平力小（xiǎo）、使本機不僅適合各型基片的曝（pù）光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦（yīn）等基片（piàn）的曝光以及非圓形基片和小（xiǎo）型基（jī）片的曝光。

CCD顯微顯示係統、高均勻性（xìng）曝光頭、

曝光（guāng）頭及部件圖

主要功能特點

150X150mm以下，厚度(包括非圓形基片

有（yǒu）真空掩膜版架、真（zhēn）空片吸盤，本（běn）機采用高均勻性的LED專用曝（pù）光頭（tóu），非常理想的三點（diǎn）式自動找平機構和穩定可靠的真（zhēn）空密著裝置，使本（běn）機的曝光（guāng）分辨率大為提高。

采用版不動片動（dòng）的下置（zhì）式三層（céng）導軌對準方式，使導軌自重和受（shòu）力方向保持一（yī）致，自動消Z軸升降機構和雙簧片微分離機構，使本機片對（duì）版在分離接觸時漂移特小，對準精度高，對（duì）準速度快，從而提（tí）高了版的複用率和（hé）產品的成品率。

采用進口（日本產）電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的（de）氣動係統、真空管路係統和

不平的基片造成的版（bǎn）片分離不開所引起的版片無（wú）法對準的問題（tí）

主要技術指標<span style="font-family:;" "="">

1、曝光（guāng）類型：單麵（miàn）；

2、曝光麵積（jī）：150×150mm；

3、曝光照度不均勻（yún）性：≤±3.5%；

4、曝光強度：0～30mw/cm²可調；

5、紫外（wài）光束角：≤3°；

6、紫外光中心波長：365nm（也（yě）可以配專用曝光頭實現g線、h線、I線的組合）；

7、紫外光源壽命：≥2萬小時；

8、曝光分辨率：1μm；

9、曝光模式：可選擇一次曝（pù）光（guāng）或套刻曝光；

10、顯微鏡（jìng）掃（sǎo）描範（fàn）圍：X： ±15mm Y： ±15mm；

11、對準範圍（wéi）：X、Y粗調±3mm，細調±0.3mm；Q粗調±15°，細調±3°；

12、套刻精（jīng）度（dù）：1μm；

13、分離量（liàng）；0～50μm可調（diào）；

14、接觸－分離漂移：≤1μm；

15、曝光方式：接觸式曝光；

16、找平方（fāng）式：三點式自動找（zhǎo）平；

17、顯微係統：雙視場（chǎng）CCD係統，顯微鏡91X～570X連續變倍（物鏡1.6X-10X連續變倍），雙物鏡距離可調範圍50mm～100mm，計算機圖像（xiàng）處理係統，19″液晶監視器；

18、掩模版尺寸（cùn）： ≤152×152mm；

19、基片尺寸：≤Φ127mm（或者127×127mm）；

20、基片厚度：≤5 mm

21、曝光定（dìng）時：0～999.9秒可調；