G-30B4型高精密光（guāng）刻機

設備概述:

本設備為我公司（sī）專門針對各（gè）大、中、小型企業的使用特性而研發的一種高精密雙麵光刻機，它主要用於中小規模集成電路、半導（dǎo）體元器件、聲表麵波器（qì）件的研製和生產,它具（jù）有（yǒu）生產效率高（gāo）、結構簡單、操作維（wéi）護（hù）方便等優勢，本機不僅適合4英寸以下各型基片（piàn）的曝（pù）光（guāng），也適合（hé）易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

主要功能特點

1.適用範（fàn）圍廣（guǎng）適用於Φ100mm以下，厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)雙麵一次曝光。

2. 結構穩定

本設備配置有可實現真空硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構；具有真空掩膜版（bǎn）架、真空片吸盤（pán）。

3. 操（cāo）作簡便

本設備操作簡（jiǎn）單，調試、維護、修理等都（dōu）非常簡便。

4. 設備運行穩定、可靠

采用進口電磁（cí）閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動係統、真空管路（lù）係統和精密的機械零件，使本機具有非常高的可靠性。

5. 特設（shè）功能（néng）

除標準承片台外，還（hái）可以為（wéi）用戶定製專用承片台，來解決非（fēi）圓形基片、碎片和（hé）底麵不平（píng） 的基片造（zào）成的版片分離不開所（suǒ）引起的版（bǎn）片（piàn）無法對（duì）準的問題

主要技術指標

1、曝（pù）光類型（xíng）：雙麵；一次同時曝光（guāng）(高均勻性汞燈曝（pù）光頭)

2、曝光麵積：Φ110mm；

3、曝光照度不均勻（yún）性：≤±4%；

4、曝光強度：≤7mw/cm²；

5、紫外光中心波長：365nm；

6、曝光分辨（biàn）率：2μm；

7、曝（pù）光方式（shì）：接觸式曝光；

8、掩模版尺寸：≤127×127mm；

9、基片尺寸：≤ Φ100 mm（或者100×100mm）;

10、基片厚度：≤5 mm；

11、曝光定時：0～999.9秒可調；