G-31D4型高精密光刻機  

產品介紹：

設備概述

本設備廣泛（fàn）用於各大、中、小型（xíng）企業、大專院校、科研（yán）單位（wèi），它主要用於中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表麵波器件、薄膜電路（lù）、電力電子器件的研製和生（shēng）產。主要構成 本設備為板板對（duì）準雙麵曝光<span style="font-family:;" "="">

主要（yào）由雙目視場CCD顯（xiǎn）微顯（xiǎn）示（shì）係統、二台4"LED專用曝光頭、PLC電控係統、高精度對準工作（zuò）台、Z軸升（shēng）降機構、真空管（guǎn）路係統、氣路係統、直聯式真空泵、二級（jí）防震工作台等組成。

主要（yào）功能特點（diǎn）

1.適用範（fàn）圍廣

適用於φ100mm以下、厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光（guāng），雙麵可同時曝光，亦（yì）可用於單（dān）麵曝光（guāng）。

2.結構

Z軸采用滾珠直進式導軌和可實現硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構，真空吸版，防粘片機構。

3.操作簡便

X\Y移動、Q轉、Z軸升降采用手動方（fāng）式（shì）；吸版、反吹采用按鈕（niǔ）方式，操作、調試、維（wéi）護、修理都非常簡便。

4. 可靠性高

采用進口（kǒu）（日本產）電磁閥、按鈕、定時器；采（cǎi）用獨特（tè）的氣動係統、真空管路係統和精密的機（jī）械零件，使本機運行具有非常高的（de）可靠性。采用進口（日本（běn）產（chǎn））電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動係統、真空管路係統和

5. 特設功能（néng）

不平（píng）的基片造成的版片分離（lí）不開所引起的版片無法對（duì）準（zhǔn）的問題  

主要技術指標

2、曝光（guāng）麵積：102×102mm；

3、曝光照度不（bú）均勻性：≤±3%；

4、曝光強度：0～30mw/cm²可調；

5、紫外光束角：≤3°；

6、紫外光中（zhōng）心波長：365nm；

7、紫外光源壽命：≥2萬小時；

8、工作麵溫度：≤30℃

9、采用電子快門；

10、曝（pù）光分辨率：1μm(曝（pù）光深度為線寬的10倍左右)

11、曝光（guāng）模式：雙麵同時（shí）曝光

12、對準範圍：X:±5mm Y:±5mm

13、套刻精度：1μm

14、旋轉範圍：Q向旋（xuán）轉調節≤±5°

15、顯微係統：雙視場CCD係統，物鏡1.6X～10X，計（jì）算機圖像（xiàng）處理係統（tǒng），19″液晶監視器；

16、掩（yǎn）模版尺寸：能真空（kōng）吸附5"方形掩板，對（duì）版的厚度（dù）無特殊要求（1～3mm皆可）。

17、基（jī）片尺寸：適用於4"基片，基片厚度（dù）0.1－2mm。